Kioxia Expande La Línea De Eufs De Grado Automotriz: 512 Gb Para Condiciones Extremas

Kioxia expande la línea de eUFS de grado automotriz: 512 GB para condiciones extremas

Kioxia (antes Toshiba Memory), ha ampliado su línea de almacenamiento UFS (eUFS) integrado con un dispositivo de 512 GB basado en la flash NAND BiCS 3D de la compañía. El chip está clasificado para soportar un rango muy amplio de temperaturas de funcionamiento junto con características especiales que aumentan su fiabilidad y resistencia.

La unidad eUFS de 512 GB de Kioxia para aplicaciones de automoción utiliza el controlador especialmente desarrollado por la compañía, así como la memoria flash BiCS 3D TLC NAND. Los chips cumplen con la especificación UFS 2.1 HS-G3 y pueden utilizar dos carriles HS-Gear3 full-duplex con una velocidad de transferencia de datos de 5,8 GT/s por carril, lo que significa un hipotético ancho de banda máximo de 1200 MB/s (suponiendo que se utilice el caching pSLC y otros métodos de aumento del rendimiento, por supuesto). Otros miembros de la familia de los eUFS 2.1 para automóviles son las unidades de disco con capacidades de entre 16 GB y 256 GB.

Dado que los dispositivos de almacenamiento eUFS de grado automovilístico de Kioxia funcionarán en entornos difíciles, están cualificados por la AEC-Q100 Grado 2 y pueden funcionar en temperaturas extremas entre -40ºC y 105ºC durante periodos prolongados. Además, los controladores de estos dispositivos admiten funciones como el Refresco, el Control Térmico y el Diagnóstico Extendido, que están diseñadas para mejorar la fiabilidad y la resistencia generales.

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