Micr贸n: 128 Capa 4 Nand 3D Con Arquitectura Rg Pr贸ximamente

Micr贸n: 128 Capa 4 NAND 3D con arquitectura RG Pr贸ximamente

Micron ha grabado sus primeros dispositivos de memoria NAND 3D de cuarta generaci贸n con su nueva arquitectura de puerta de reemplazo (RG). La cinta confirma que la compa帽铆a est谩 en camino de producir memoria NAND 3D de 4陋 generaci贸n en el calendario 2020, pero Micron advierte que la memoria que utiliza la nueva arquitectura s贸lo ser谩 utilizada para aplicaciones selectas y por lo tanto su reducci贸n de costos en NAND 3D el pr贸ximo a帽o ser谩 m铆nima.

La NAND 3D de 4陋 generaci贸n de Micron utiliza hasta 128 capas activas y sigue utilizando un CMOS bajo el enfoque de dise帽o de arreglos. El nuevo tipo de memoria NAND 3D cambia la tecnolog铆a de puerta flotante (que ha sido utilizada por Intel y Micron durante a帽os) por la tecnolog铆a de reemplazo de puertas en un intento de reducir el tama帽o y los costos de los troqueles, a la vez que mejora el rendimiento y permite transiciones m谩s f谩ciles a los nodos de pr贸xima generaci贸n. La tecnolog铆a fue desarrollada 煤nicamente por Micron sin ning煤n aporte de Intel, por lo que es probable que se adapte a las aplicaciones que Micron desea m谩s (probablemente altos ASP, como m贸viles, de consumo, etc.).

La cinta de la 4陋 Generaci贸n de Micron de 128 capas 3D NAND indica que el nuevo dise帽o de la compa帽铆a es m谩s que un concepto. Al mismo tiempo, Micron no tiene planes de trasladar todas sus l铆neas de productos a su tecnolog铆a de proceso RG inicial, por lo que el coste por bit de toda la compa帽铆a no bajar谩 significativamente el pr贸ximo a帽o. No obstante, la empresa promete que ver谩 reducciones significativas de costos en el a帽o fiscal 2021 (comienza a finales de septiembre de 2020) despu茅s de que su subsiguiente nodo RG se despliegue ampliamente.

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