Micrón: 128 Capa 4 Nand 3D Con Arquitectura Rg Próximamente

Micrón: 128 Capa 4 NAND 3D con arquitectura RG Próximamente

Micron ha grabado sus primeros dispositivos de memoria NAND 3D de cuarta generación con su nueva arquitectura de puerta de reemplazo (RG). La cinta confirma que la compañía está en camino de producir memoria NAND 3D de 4ª generación en el calendario 2020, pero Micron advierte que la memoria que utiliza la nueva arquitectura sólo será utilizada para aplicaciones selectas y por lo tanto su reducción de costos en NAND 3D el próximo año será mínima.

La NAND 3D de 4ª generación de Micron utiliza hasta 128 capas activas y sigue utilizando un CMOS bajo el enfoque de diseño de arreglos. El nuevo tipo de memoria NAND 3D cambia la tecnología de puerta flotante (que ha sido utilizada por Intel y Micron durante años) por la tecnología de reemplazo de puertas en un intento de reducir el tamaño y los costos de los troqueles, a la vez que mejora el rendimiento y permite transiciones más fáciles a los nodos de próxima generación. La tecnología fue desarrollada únicamente por Micron sin ningún aporte de Intel, por lo que es probable que se adapte a las aplicaciones que Micron desea más (probablemente altos ASP, como móviles, de consumo, etc.).

La cinta de la 4ª Generación de Micron de 128 capas 3D NAND indica que el nuevo diseño de la compañía es más que un concepto. Al mismo tiempo, Micron no tiene planes de trasladar todas sus líneas de productos a su tecnología de proceso RG inicial, por lo que el coste por bit de toda la compañía no bajará significativamente el próximo año. No obstante, la empresa promete que verá reducciones significativas de costos en el año fiscal 2021 (comienza a finales de septiembre de 2020) después de que su subsiguiente nodo RG se despliegue ampliamente.

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